发布日期:2025-09-12 10:45 点击次数:156
今天共享的是:2025年第三代半导体SiC GaN产业链盘考发达-深企投开云体育
发达共计:74页
本发达聚焦2025年第三代半导体碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)产业链,深切判辨产业近况与发展趋势。第三代半导体以宽禁带材料为中枢,与前两代半导体造成互补,在新动力、通讯等畛域后劲显耀。
第三代半导体概览
半导体材料历经三代迭代。第一代以硅(Si)、锗(Ge)为主,主导低压低频场景;第二代以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表,聚焦高频光电子畛域;第三代以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为中枢,具备宽禁带、高击穿电场等特色,适用于高温、高频、大功率场景,如新动力汽车、5G基站等。三代材料将长期共存,第三代有望逐渐替代部分硅基阛阓。
碳化硅(SiC)产业链
- 哄骗畛域:新动力汽车为中枢场景,主驱逆变器、车载充电器等需求昌盛,800V高压平台推动碳化硅渗入率提拔,2025年国内800V车型中碳化硅渗入率达71%。此外,光伏储能、充电桩、AI数据中心等畛域哄骗也在拓展。
张开剩余83%- 产业链结构:上游衬底和外延片占器件资本70%,中游为器件制造,下流触及多个哄骗畛域。衬底制备期间门槛高,8英寸衬底可镌汰资本35%,国表里企业加快布局。
- 阛阓神色:民众阛阓由外资巨头主导,前五大厂商占92%份额,但国内企业快速崛起,2024年上半年国内新动力乘用车碳化硅模块装机量前10企业中,国产厂商占6家,野心份额45.7%。
氮化镓(GaN)产业链
- 哄骗畛域:氮化镓在高频场景上风超越,破费电子快充渗入率已达52%,汽车畛域车载充电器、DC-DC退换器等逐渐哄骗,数据中心、新动力等畛域后劲大。
- 期间道路:硅基氮化镓(GaN-on-Si)因资本上风成主流,8英寸晶圆推动降本,2023年民众8英寸氮化镓市占率33.7%。
- 阛阓畛域:民众氮化镓功率器件阛阓2023年达2.6亿好意思元,瞻望2029年达20.1亿好意思元,年复合增长率41%,国内英诺赛科等企业踏进民众龙头。
配置产业链
- 碳化硅配置:单晶炉、外延炉基本国产化,刻蚀配置、离子注入机等国产化率低,2029年民众碳化硅配置阛阓畛域瞻望超44亿好意思元。
- 氮化镓配置:MOCVD等中枢配置依赖入口,国内中微半导体、朔方华创等推动国产化,2026年民众氮化镓外延配置阛阓畛域瞻望达4.02亿好意思元。
总体而言,第三代半导体产业链在期间迭代与阛阓需求开动下快速发展,国内企业在材料、器件及配置端加快打破,国产化程度有望抓续推动。
以下为发达节选本体
发布于:广东省Powered by kaiyun.com-开云官网登录入口(中国)官方网站 @2013-2022 RSS地图 HTML地图